学会简介
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北京理化分析测试技术学会是北京地区分析测试行业专家自愿组成的学术团体。
其宗旨是团结组织北京地区分析测试行业工作者,促进分析测试行业技术的普及、推广、繁荣和发展,提高社会成员的科学素养,促进人才的成长,发挥分析测试行业在促进国民经济建设持续发展和高、新技术创新中的作用。
1980
于北京成立
9
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2
工作机构
1000+
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三维有序大孔SiO2的结构表征
05-112010
三维有序大孔SiO2的结构表征 王丽华,沈智奇,杨卫亚,凌凤香,王丽君 (抚顺石油化工研究院,辽宁,抚顺,113001) 三维有序大孔(3DOM)材料,具有孔径大、孔隙率高、孔排列均一有序等特点,因而具有特殊的光子晶体性质和尺寸依赖性效应,在光子芯片[1]、光子带隙(PBG)[2]、吸附分离、催化剂等材料[3]的制备方面具有广泛的应用前景。 本文采用胶体晶体模板法制备了粒径为240nm的3DOM SiO2,并对其孔道结构及孔壁的结构组成进行了SEM、TEM及EDS的表征。
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原位电子束沉积在复合纳米材料制备中的应用
05-112010
原位电子束沉积在复合纳米材料制备中的应用 万强1 王岩国1,2* (1湖南大学物理与微电子科学学院,长沙市岳麓山,410082 2中国科学院物理研究所,北京中关村南三路八号,100190) 摘要 利用电子束诱导沉积方法在单根ZnSe纳米线表面原位沉积了厚度可控的碳氢化合物,得到同轴异质复合纳米线。原位电性能测量得到ZnSe纳米线的阈值电压为1.6伏,而异质复合纳米线的阈值电压为1伏,因此沉积碳氢化合物明显降低了半导体纳米线与金属电极界面间的Schottky势垒,因此在ZnSe纳
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PIPS低能枪的应用
05-112010
PIPS低能枪的应用 王凤莲  李莹 马超 (中国科学院物理研究所先进材料结构分析实验室) 一  引言 离子减薄技术是TEM样品制备的重要手段,几十年来由于离子减薄仪器的发 展和广泛应用,使电子显微学在半导体材料及其器件的失效分析,新材料的微结构 研究取得很大发展。 低能离子减薄技术是近年来发展起来的,在制备具有挥发组分的化合物材料: 如半导体材料、超导材料、热敏感材料,有独到之处。我们利用低能量离子枪制备了 半导体材料:GaAs多层结构,InP体材料,
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