PIPS低能枪的应用
 

PIPS低能枪的应用
王凤莲  李莹 马超
(中国科学院物理研究所先进材料结构分析实验室)

一  引言
离子减薄技术是TEM样品制备的重要手段,几十年来由于离子减薄仪器的发
展和广泛应用,使电子显微学在半导体材料及其器件的失效分析,新材料的微结构
研究取得很大发展。
低能离子减薄技术是近年来发展起来的,在制备具有挥发组分的化合物材料:
如半导体材料、超导材料、热敏感材料,有独到之处。我们利用低能量离子枪制备了
半导体材料:GaAs多层结构,InP体材料,超导材料都获得成功。
二  低能离子枪的应用
无论制备什么材料的TEM样品,选择最有利的制备技术是非常重要的。
1  低能离子枪制备InP材料

 


2  低能离子枪制备GaAs多层结构材料


3  低能离子枪制备FeAs化合物超导材料

 

三  结果与讨论




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