PIPS低能枪的应用
王凤莲  李莹 马超
（中国科学院物理研究所先进材料结构分析实验室）

一  引言
离子减薄技术是TEM样品制备的重要手段，几十年来由于离子减薄仪器的发
展和广泛应用，使电子显微学在半导体材料及其器件的失效分析，新材料的微结构
研究取得很大发展。
低能离子减薄技术是近年来发展起来的，在制备具有挥发组分的化合物材料：
如半导体材料、超导材料、热敏感材料，有独到之处。我们利用低能量离子枪制备了
半导体材料：GaAs多层结构，InP体材料，超导材料都获得成功。
二  低能离子枪的应用
无论制备什么材料的TEM样品，选择最有利的制备技术是非常重要的。
1  低能离子枪制备InP材料

2  低能离子枪制备GaAs多层结构材料

3  低能离子枪制备FeAs化合物超导材料

三  结果与讨论